新員工入職培訓(xùn)考試——05《嵌入式存儲(chǔ)行業(yè)通識(shí)與時(shí)創(chuàng)意產(chǎn)品基礎(chǔ)介紹》

1. 您的姓名：

2. 嵌入式存儲(chǔ)的外部存儲(chǔ)核心屬性為

A、易失性，斷電丟失數(shù)據(jù)B、非易失性，長(zhǎng)期存儲(chǔ)數(shù)據(jù)C、易失性，臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)D、非易失性，直接決定系統(tǒng)流暢度

3. 以下屬于嵌入式工作內(nèi)存典型代表的是

A、eMMCB、UFSC、LPDDRD、xPOP

4. eMMC 5.1的理論帶寬約為

A、600MB/sB、4200MB/sC、300MB/sD、10000Mbps

5. UFS相比eMMC的核心工作模式優(yōu)勢(shì)是

A、8位并行總線(xiàn)B、半雙工，同一時(shí)間僅能讀或?qū)?/label>C、串行總線(xiàn)，全雙工支持讀寫(xiě)同時(shí)進(jìn)行D、成本更低，兼容性更好

6. 專(zhuān)為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)、能效比極高的工作內(nèi)存是

A、DDR5B、LPDDR5XC、DDR4D、以上均是

7. 時(shí)創(chuàng)意的企業(yè)定位不包括

A、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)B、國(guó)家專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)C、大陸模組廠(chǎng)綜合實(shí)力前三D、僅專(zhuān)注嵌入式存儲(chǔ)單一品類(lèi)研發(fā)

8. 時(shí)創(chuàng)意在車(chē)規(guī)級(jí)領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)的合作客戶(hù)是

A、九號(hào)機(jī)器人B、賽力斯C、大疆D、美的

9. 以下屬于時(shí)創(chuàng)意AI存儲(chǔ)產(chǎn)品的是

A、eMMC5.1 4GB-512GBB、UFS2.2 128GB-512GBC、DDR5 UDIMM 8GB-64GBD、microSD 4GB-1TB

10. 時(shí)創(chuàng)意掌握的先進(jìn)封裝工藝中，國(guó)內(nèi)掌握者較少的是

A、SIP封裝B、CSP封裝C、FlipChip封裝D、16層疊Die封裝

11. 嵌入式產(chǎn)品固件開(kāi)發(fā)流程的第一步是

A、系統(tǒng)設(shè)計(jì)B、需求分析C、開(kāi)發(fā)編碼D、測(cè)試驗(yàn)證

12. DDR的核心特點(diǎn)是功耗優(yōu)先，封裝尺寸小，適合板載焊接。

A、正確B、錯(cuò)誤

13. UFS 4.1的順序讀取速度可達(dá)4200MB/s以上，主要應(yīng)用于旗艦級(jí)智能手機(jī)、ADAS等高端場(chǎng)景。

A、正確B、錯(cuò)誤

14. 時(shí)創(chuàng)意僅與國(guó)際存儲(chǔ)晶圓廠(chǎng)商合作，未與國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)原廠(chǎng)建立合作關(guān)系。

A、正確B、錯(cuò)誤

15. 嵌入式存儲(chǔ)的xPOP、xMCP產(chǎn)品屬于NAND+DRAM的組合介質(zhì)類(lèi)型。

A、正確B、錯(cuò)誤

16. 時(shí)創(chuàng)意芯片測(cè)試車(chē)間采用的TERADYNE測(cè)試設(shè)備，最高測(cè)試速率可達(dá)11000Mbps。

A、正確B、錯(cuò)誤

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